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        美光176層閃存3D NAND推出 已經開始批量生產

        時間:2020-11-10 09:48:24 來源:桔子系統 作者:小桔子

        在半導體行業的存儲芯片細分領域,常常會提到NAND。近年來,NAND Flash在3D堆疊和QLC技術方面發展迅速,目前100層+3D NAND和QLC被認為是最新的技術,不少廠商已經突破100層+,并向更高層數邁進,也有許多廠商已經推出了幾代QLC NAND,并在SSD中進行大規模應用。11月9日晚,美光宣布了自己最新的第五代3D NAND閃存技術,該技術堆積了176層的存儲單元。

        新的176層閃存是美光和英特爾分手后開發的第二代產品,上一代3D NAND是128層設計,是美光的過渡節點。目前,在三星的存儲技術大幅領先下,美光128層3D NAND并不特別高。另外,升級到176層,但落后于三星。

        3D NAND

        176層NAND支持的接口速度為1600MT/s,高于96層和128層閃存的1200MT/s。與96層NAND相比,讀(寫)延遲提高了35%以上,與128層NAND相比,提高了25%以上。與使用96層NAND的UFS3.1模塊相比,美光芯片的總體混合工作負載改善了約15%。

        美光表示,176層的3D NAND已經開始批量生產,在一些英睿達的消費級SSD產品中發貨。

        但是,無論從短期還是長期來看,更高層次的數量和QLC技術帶來的更大容量和更低有助于制造商獲得更多的市場機會。


        標簽 3D NAND
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